基片尺寸：8，12 英寸可选
基片温度：RT-600℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件
前驱体输运系统：标准3路前驱体管路，可以选配到6路以上
反应腔：喷淋式等离子体和前驱体进气，铝制穹顶等离子体扩散腔
沉积模式：热沉积模式、等离子增强模式、连续模式^TM （Flow^TM ）、压力调谐模式^TM （PreTune^TM）、单面沉积模式^TM（SinglePro^TM ）、离子束辅助沉积模式，以上可选
等离子体气源：标准3路，可以选配到6路以上
等离子体源：ICP remote plasma 500W，更大功率可选
基片输运系统：手动，手动/自动Load lock可选
可选件：手套箱，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，单面沉积模式附件，离子束辅助沉积模式
沉积均匀性：Al₂O₃ 均匀性 <±1%
仪器尺寸：1250 X 800 X 1800 mm
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