原子层刻蚀(Atomic Layer Etching,ALE)是一种用于制备纳米尺度结构的表面加工技术，它与原子层沉积（ALD）技术相对应，共同构成了原子层加工（Atomic Layer Processing，ALP）的一部分。与传统的刻蚀技术相比，ALE具有更高的精度和可控性。其关键的特点是在每个刻蚀周期中只去除一层原子，因此能够实现非常高的垂直蚀刻控制精度、原子级的均匀性、低损伤光滑的刻蚀表面。ALE技术在纳米电子器件、太阳能电池、光学器件等领域有着重要的应用。

基片尺寸：6~8英寸（其他尺寸可选）

刻蚀精度：单原子层

等离子体：ICP远程等离子体/微波远程等离子体 (可选)

等离子体浓度：混合气源10cm下大于10¹²/cm³

反应温度：RT~400℃（更高温度可选）

刻蚀气体：1路氩气质量流量计控制，其它气体脉冲进气任意可选

详细信息请联系我们