自原子层沉积技术诞生以来，人们一直针对建立稳定有效的原子层沉积化学反应过程不懈努力。等离子体辅助ALD技术是在热式ALD技术的基础上引入等离子体，其产生的活性基团与普通反应剂相比，可更易与金属有机物前驱体反应，使得可选用的前驱体及可生长的材料的种类得到了扩展。然而，即使采用了等离子体辅助ALD技术，也会存在诸如前驱体活性低及吸附能力差、前驱体间的反应活性差、形核周期长等原因导致的不易成膜的问题。同时，等离子体中的活性基团寿命较短，特别是在使用远程等离子体ALD技术中，大部分活性基团在未到达沉积基体时就已失效，最终影响了等离子体的整体活化效果。 

       我公司提供的辅助增强原子层沉积技术（发明专利号：201410231674.2）可解决上述问题。例如：针对特定的反应过程，通过不同光谱范围紫外光的引入，控制特定的活化时间，实现稳定有效的原子层沉积化学反应过程。这一前瞻性的技术创新成果已得到多年的验证，极大拓展了传统原子层沉积技术的应用范围。 

       我公司在原子层沉积、纳米薄膜制备、微纳米粉体制备与包覆、富勒烯（C₆₀）制备等领域的持续技术创新，会更好地服务于广大用户。 

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