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辅助增强原子层沉积专利技术
来源: | 作者: admin | 发布时间: 2023-09-18 | 392 次浏览 | 分享到:

       自原子层沉积技术诞生以来,人们一直针对建立稳定有效的原子层沉积化学反应过程不懈努力。等离子体辅助ALD技术是在热式ALD技术的基础上引入等离子体,其产生的活性基团与普通反应剂相比,可更易与金属有机物前驱体反应,使得可选用的前驱体及可生长的材料的种类得到了扩展。然而,即使采用了等离子体辅助ALD技术,也会存在诸如前驱体活性低及吸附能力差、前驱体间的反应活性差、形核周期长等原因导致的不易成膜的问题。同时,等离子体中的活性基团寿命较短,特别是在使用远程等离子体ALD技术中,大部分活性基团在未到达沉积基体时就已失效,最终影响了等离子体的整体活化效果。 

       我公司提供的辅助增强原子层沉积技术(发明专利号:201410231674.2)可解决上述问题。例如:针对特定的反应过程,通过不同光谱范围紫外光的引入,控制特定的活化时间,实现稳定有效的原子层沉积化学反应过程。这一前瞻性的技术创新成果已得到多年的验证,极大拓展了传统原子层沉积技术的应用范围。 

       我公司在原子层沉积、纳米薄膜制备、微纳米粉体制备与包覆、富勒烯(C60)制备等领域的持续技术创新,会更好地服务于广大用户。 

       更多产品技术信息和服务,请联系我们!


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