基片尺寸：4 -12 英寸可选
样品高度：6 mm，可选配更高样品选件
基片温度：RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件
前驱体输运系统：标准2路前驱体管路，可以选配到6路以上
载气系统：Ar
沉积模式：连续模式^TM（Flow^TM）、停流模式^TM（StopFlow^TM）、等离子体增强模式^TM
工作气体：1路氩气配置质量流量计，其余3路任意可选
输出功率：0 ~ 200 W  ± 3 %
反射功率：保护到100W（当反射功率达到100W时自动限制传送功率）
频率：2.45 GHz
沉积均匀性：Al₂O₃ 均匀性 < ±1%
电源：50-60 Hz  220V /15A交流电源，标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚
仪器尺寸：1100 X 600 X 1200 mm
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