原子层刻蚀(Atomic Layer Etching,ALE)是一种用于制备纳米尺度结构的表面加工技术,它与原子层沉积(ALD)技术相对应,共同构成了原子层加工(Atomic Layer Processing,ALP)的一部分。与传统的刻蚀技术相比,ALE具有更高的精度和可控性。其关键的特点是在每个刻蚀周期中只去除一层原子,因此能够实现非常高的垂直蚀刻控制精度、原子级的均匀性、低损伤光滑的刻蚀表面。ALE技术在纳米电子器件、太阳能电池、光学器件等领域有着重要的应用。
基片尺寸:6~8英寸(其他尺寸可选)
刻蚀精度:单原子层
等离子体:ICP远程等离子体/微波远程等离子体 (可选)
等离子体浓度:混合气源10cm下大于1012/cm3
反应温度:RT~400℃(更高温度可选)
刻蚀气体:1路氩气质量流量计控制,其它气体脉冲进气任意可选
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