原子层刻蚀(Atomic Layer Etching, ALE)是一种用于制备纳米尺度结构的表面加工技术，它与原子层沉积（ALD）技术相对应，共同构成了原子层加工（Atomic Layer Processing，ALP）的一部分。与传统的刻蚀技术相比，ALE具有更高的精度和可控性。其关键的特点是在每个刻蚀周期中只去除一层原子，因此能够实现非常高的垂直蚀刻控制精度、原子级的均匀性、低损伤光滑的刻蚀表面。ALE技术在纳米电子器件、新型太阳能电池、光学器件等领域有着重要的应用，尤其是对于制备超薄膜、纳米结构和三维器件具有重要意义。

       我公司的原子层刻蚀功能可在自身的原子层沉积系统上同步实现。针对不同的应用要求，用户可选择ICP远程等离子体源或微波远程等离子体源。刻蚀与沉积/封装可原位同步或交替完成。以下是一个典型的应用案例，是我们的用户在2014年完成的：

       砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料广泛应用于半导体光电器件中。但由于GaAs薄膜材料表面因周期性结构的中断而出现大量未饱和悬挂键，会导致高的表面态。这些悬挂键使得材料表面性质活跃，容易与空气中的氧发生作用，生成各类氧化物，钉扎费米能级，导致表面性质严重退化，发光强度减弱，严重制约了其在器件中的应用。因此通过一种简单有效的表面处理方法来提高GaAs薄膜的发光特性、保证GaAs基器件的性能稳定就显得尤为重要。

       用户采用我公司的远程感应耦合等离子体原子层沉积/刻蚀系统，对GaAs材料的表面先进行原子层刻蚀，之后在新鲜的界面上原位沉积一层氮化物保护层，其发光强度有了成倍的提高，实现了高均一性和稳定性。

       我公司在原子层沉积、纳米薄膜制备、微纳米粉体制备与包覆、富勒烯（C₆₀）制备等领域的持续技术创新，会更好地服务于广大用户。 

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