CZTSSe薄膜太阳电池中存在的界面缺陷和体缺陷严重制约着其转换效率的提升，在诸多方法中，采用原子层沉积技术（ALD）制备的钝化层已被证明是一种行之有效的策略并显示出极佳的效果。南开大学光电子薄膜与技术研究所张毅教授课题组与河北大学物理科学与技术学院于威教授课题组合作，采用原子层沉积技术在前驱膜上生长Al₂O₃超薄层，实现了对高效CZTSSe薄膜太阳电池缺陷的有效调控，同时分析了ALD-Al₂O₃对CZTSSe薄膜太阳电池器件性能提升的物理机制，为高效锌黄锡矿结构材料的缺陷控制提供了新的方向。

       在此工作中的ALD-Al₂O₃超薄层的生长，是在我公司的原子层沉积设备上实现的。

       相关论文信息：Defect control for high-efficiency Cu₂ZnSn(S,Se)₄ solar cells by atomic layer deposition of Al₂O₃ on precursor film Yali Sun, Pengfei Qiu, Siyu Wang, Hongling Guo, Rutao Meng, Xiaowei Zhou, Li Wu, Wei Yu,* Jianping Ao, Yi Zhang* Solar RRLDOI：10.1002/solr.202100181

       我公司在原子层沉积、纳米薄膜制备、微纳米粉体制备与包覆、富勒烯制备等领域的持续技术创新，会更好地服务于广大用户。 

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